(EOL/Gustavo Martínez).- Expertos de Philips y la Universidad del estado de Pensilvania, Estados Unidos, han desarrollado, de manera conjunta, un nuevo modelo de MOSFET, basado un cálculo más preciso y extensivamente usado, del potencial de superficie.De acuerdo con sus desarrolladores, el nuevo modelo produce mejores predicciones del rendimiento real de los circuitos integrados que los modelos utilizados en la actualidad, específicamente cuando se trata de dispositivos de grandes escalas de integración y aplicaciones de alta frecuencia.Así mismo, fue anunciado que el modelo ha sido enviado al CMC (Compact Model Council), en la búsqueda de convertirse en el nuevo modelo estándar de la industria electrónica.El CMC promueve la estandarización en el uso e implementación de modelos matemáticos que describan el comportamiento de los transistores, para facilitar el intercambio de diseños de circuitos.El consejo fue creado en 1996 y está formado por 27 compañías de semiconductores y proveedores de simuladores de circuitos. El CMC se encuentra en el proceso de seleccionar un sustituto para el estándar actual modelo de MOSFET, el cual será reemplazado antes de finalizar el año.
El modelo desarrollado por Philips y la institución educativa, se basa en una aproximación al potencial de la superficie a través de todo el régimen de operación, mientras que el actual modelo se basa en una descripción simplificada de dos regiones límites y técnicas matemáticas de aproximación entre los dos límites.El nuevo modelo fue denominado PSP, debido a que fue construido tomando como base el modelo MOS 11 de Philips y el modelo SP de la Universidad del Estado de Pensilvania.En la presentación de este modelo, se mencionó que PSP provee de una mejor descripción del comportamiento del dispositivo cuando opera a altas frecuencias, como por ejemplo los dispositivos de RF utilizados en una gran variedad de dispositivos inalámbricos.
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Adicionalmente se señaló que no se incrementa sustancialmente la complejidad del modelo, gracias a la resolución de añejos problemas del modelaje de transistores, como la incorporación de la corriente de compuerta, el ruido inducido de la compuerta y los efectos estáticos.“Creemos que nuestro modelo representa un significativo avance en el modelaje de transistores”, dijo Gennady Gildenblat, profesor de ingeniería eléctrica de la Universidad del Estado de Pensilvania. “El nuevo modelo PSP predice de manejar más precisa el comportamiento del transistor a frecuencias de hasta 50GHz”.
El modelo desarrollado por Philips y la institución educativa, se basa en una aproximación al potencial de la superficie a través de todo el régimen de operación, mientras que el actual modelo se basa en una descripción simplificada de dos regiones límites y técnicas matemáticas de aproximación entre los dos límites.El nuevo modelo fue denominado PSP, debido a que fue construido tomando como base el modelo MOS 11 de Philips y el modelo SP de la Universidad del Estado de Pensilvania.En la presentación de este modelo, se mencionó que PSP provee de una mejor descripción del comportamiento del dispositivo cuando opera a altas frecuencias, como por ejemplo los dispositivos de RF utilizados en una gran variedad de dispositivos inalámbricos.
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Adicionalmente se señaló que no se incrementa sustancialmente la complejidad del modelo, gracias a la resolución de añejos problemas del modelaje de transistores, como la incorporación de la corriente de compuerta, el ruido inducido de la compuerta y los efectos estáticos.“Creemos que nuestro modelo representa un significativo avance en el modelaje de transistores”, dijo Gennady Gildenblat, profesor de ingeniería eléctrica de la Universidad del Estado de Pensilvania. “El nuevo modelo PSP predice de manejar más precisa el comportamiento del transistor a frecuencias de hasta 50GHz”.
Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina
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