MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

MOSFET: Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada

Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versión NPN y otra PNP.

El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de canal P.

Una delgada capa de material aislante formada de dióxido de silicio (SiO2) (también llamada "sílice" o "sílica") es colocada del lado del semiconductor y una capa de metal es colocada del lado de la compuerta (GATE) (ver la figura)

En el MOSFET de canal N la parte "N" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)
En el MOSFET de canal P la parte "P" está conectado a la fuente (source) y al drenaje (drain)

En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada por la corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso de los transistores FET, la corriente de salida es controlada por una tensión de entrada (un campo eléctrico). En este caso no existe corriente de entrada.

Los transistores MOSFET se pueden dañar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado. Debido a que la capa de óxido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si hay alta tensión o hay electricidad estática.


Asignatura: EES.

Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina

Fuente: http://www.unicrom.com/tut_MOSFET.asp

Iniciación a los Mosfet, uso en airsoft.

Aplicaciones:

La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS, consistentes en el uso de transistores pMOS y nMOS complementarios. Véase Tecnología CMOS

Las aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son:


•Resistencia controlada por tensión.


•Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).


•Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.


Ventajas:

La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados, p-mos, n-mos y c-mos, debido a varias ventajas sobre los transistores bipolares:


•Consumo en modo estático muy bajo.


•Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).


•Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.


•Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una impedencia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios.


•Un circuito realizado con MOSFET no necesita resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva.


•La velocidad de conmutación es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos.


•Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja potencia.
Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina
Fuente: http://aeronuts.foroactivo.com/novedades-f15/iniciacion-a-los-mosfet-uso-en-airsoft-t130.htm