domingo, 23 de enero de 2011
jueves, 2 de diciembre de 2010
sábado, 20 de noviembre de 2010
domingo, 25 de julio de 2010
New 500-V Vishay Siliconix N-Channel Power MOSFETs Feature Low 0.555-Ω On-Resistance and Improved Gate Charge of 48 nC in TO-220,TO-220 FULLPAK, and D
MALVERN, PENNSYLVANIA — July 12, 2010 — Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) today released three new 500-V, 12-A n-channel power MOSFETs with ultra-low 0.555-Ω maximum on-resistance at a 10-V gate drive, and an improved gate charge of 48 nC in TO-220, TO-220 FULLPAK, and D²PAK (TO-263) packages.
The low on-resistance of the SiHP12N50C-E3 (TO-220), SiHF12N50C-E3 (TO-220 FULLPAK), and SiHB12N50C-E3 (D²PAK) translates into lower conduction losses that save energy in power factor correction (PFC) boost circuits, pulsewidth modulation (PWM) half bridges, and LLC topologies in a wide range of applications, including notebook computer AC adapters, PC and LCD TVs, and open-frame power supplies.
In addition to their low on resistance, the devices feature a gate charge of 48 nC. Gate charge times on-resistance, a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications, is a low 26.64 Ω-nC.
The new n-channel MOSFETs are produced using Vishay Planar Cell technology, which has been tailored to minimize on-state resistance and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation mode. Compared to previous-generation MOSFETs, the SiHP12N50C-E3, SiHF12N50C-E3, and SiHB12N50C-E3 offer improved switching speed and losses.
The devices are compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and 100 % avalanche- tested for reliable operation.
Samples and production quantities of the new power MOSFETs are available now, with lead times of 8 to 10 weeks for larger orders.
Vishay Intertechnology, Inc., a Fortune 1,000 Company listed on the NYSE (VSH), is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors (diodes, MOSFETs, and infrared optoelectronics) and passive electronic components (resistors, inductors, and capacitors). These components are used in virtually all types of electronic devices and equipment, in the industrial, computing, automotive, consumer, telecommunications, military, aerospace, power supplies, and medical markets. Vishay's product innovations, successful acquisition strategy, and "one-stop shop" service have made it a global industry leader. Vishay can be found on the Internet at http://www.vishay.com.
The low on-resistance of the SiHP12N50C-E3 (TO-220), SiHF12N50C-E3 (TO-220 FULLPAK), and SiHB12N50C-E3 (D²PAK) translates into lower conduction losses that save energy in power factor correction (PFC) boost circuits, pulsewidth modulation (PWM) half bridges, and LLC topologies in a wide range of applications, including notebook computer AC adapters, PC and LCD TVs, and open-frame power supplies.
In addition to their low on resistance, the devices feature a gate charge of 48 nC. Gate charge times on-resistance, a key figure of merit (FOM) for MOSFETs used in power conversion applications, is a low 26.64 Ω-nC.
The new n-channel MOSFETs are produced using Vishay Planar Cell technology, which has been tailored to minimize on-state resistance and withstand high energy pulses in the avalanche and commutation mode. Compared to previous-generation MOSFETs, the SiHP12N50C-E3, SiHF12N50C-E3, and SiHB12N50C-E3 offer improved switching speed and losses.
The devices are compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and 100 % avalanche- tested for reliable operation.
Samples and production quantities of the new power MOSFETs are available now, with lead times of 8 to 10 weeks for larger orders.
Vishay Intertechnology, Inc., a Fortune 1,000 Company listed on the NYSE (VSH), is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors (diodes, MOSFETs, and infrared optoelectronics) and passive electronic components (resistors, inductors, and capacitors). These components are used in virtually all types of electronic devices and equipment, in the industrial, computing, automotive, consumer, telecommunications, military, aerospace, power supplies, and medical markets. Vishay's product innovations, successful acquisition strategy, and "one-stop shop" service have made it a global industry leader. Vishay can be found on the Internet at http://www.vishay.com.
Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina
Vishay Siliconix Releases Industry’s Smallest and Thinnest N-Channel Chipscale Power MOSFET With 0.64-mm2 Area
MALVERN, PENNSYLVANIA — July 26, 2010 — Vishay Intertechnology, Inc. (NYSE: VSH) today unveiled the industry’s smallest and thinnest n-channel chipscale power MOSFET and the first with a sub-1-mm2 outline. The 20-V MICRO FOOT® Si8800EDB combines an ultra-small 0.8-mm by 0.8-mm outline with a height of 0.357 mm to save space in portable electronics.
As portable devices become more compact, the size of components becomes critical, as PCB areas are extremely limited due to the space taken by keypads and batteries. With its ultra-small outline and height, the Si8800EDB is 36 % smaller and 11 % thinner than the next smallest n-channel device in a chipscale package, allowing for the creation of more compact end products with increased functionality.
The chipscale packaging of the Si8800EDB provides an extremely low on-resistance per area due to its packageless technology and increased die area. The MOSFET offers maximum on-resistance values of 80 mΩ at 4.5 V, 90 mΩ at 2.5 V, 105 mΩ at 1.8 V, and 150 mΩ at 1.5 V.
Typical applications for the new device will include load switches and small signal switching in portable devices such as cell phones, PDAs, digital cameras, MP3 players, and smart phones. The Si8800EDB’s low on-resistance prolongs battery life between charges in these products.
The Si8800EDB features typical ESD protection of 1500 V, is compliant to RoHS Directive 2002/95/EC, and is halogen-free according to the IEC 61249-2-21 Definition.
Samples of the new power MOSFET are available now. Production quantities will be available in Q2 2010, with lead times of 16 weeks for larger orders.
Vishay Intertechnology, Inc., a Fortune 1,000 Company listed on the NYSE (VSH), is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors (diodes, MOSFETs, and infrared optoelectronics) and passive electronic components (resistors, inductors, and capacitors). These components are used in virtually all types of electronic devices and equipment, in the industrial, computing, automotive, consumer, telecommunications, military, aerospace, power supplies, and medical markets. Vishay's product innovations, successful acquisition strategy, and "one-stop shop" service have made it a global industry leader. Vishay can be found on the Internet at http://www.vishay.com.
As portable devices become more compact, the size of components becomes critical, as PCB areas are extremely limited due to the space taken by keypads and batteries. With its ultra-small outline and height, the Si8800EDB is 36 % smaller and 11 % thinner than the next smallest n-channel device in a chipscale package, allowing for the creation of more compact end products with increased functionality.
The chipscale packaging of the Si8800EDB provides an extremely low on-resistance per area due to its packageless technology and increased die area. The MOSFET offers maximum on-resistance values of 80 mΩ at 4.5 V, 90 mΩ at 2.5 V, 105 mΩ at 1.8 V, and 150 mΩ at 1.5 V.
Typical applications for the new device will include load switches and small signal switching in portable devices such as cell phones, PDAs, digital cameras, MP3 players, and smart phones. The Si8800EDB’s low on-resistance prolongs battery life between charges in these products.
The Si8800EDB features typical ESD protection of 1500 V, is compliant to RoHS Directive 2002/95/EC, and is halogen-free according to the IEC 61249-2-21 Definition.
Samples of the new power MOSFET are available now. Production quantities will be available in Q2 2010, with lead times of 16 weeks for larger orders.
Vishay Intertechnology, Inc., a Fortune 1,000 Company listed on the NYSE (VSH), is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors (diodes, MOSFETs, and infrared optoelectronics) and passive electronic components (resistors, inductors, and capacitors). These components are used in virtually all types of electronic devices and equipment, in the industrial, computing, automotive, consumer, telecommunications, military, aerospace, power supplies, and medical markets. Vishay's product innovations, successful acquisition strategy, and "one-stop shop" service have made it a global industry leader. Vishay can be found on the Internet at http://www.vishay.com.
Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina
PROBADOR DE TRANSISTORES MOS-FET
El circuito presente en la figura siguiente, está constituido por una etapa osciladora seguida de una etapa amplificadora,es muy sencillo y dispone de un indicador de estado y utiliza unos pocos componentes de fácil localización.Así que utilizaremos el oscilador para generar la frecuencia que nos permita averiguar si el transistor bajo prueba es capaz de amplificar dicha señal, si es así transistor en buen estado, en caso contrario, adquirir otro.
Funcionamiento:
Como se apuntaba, el circuito probador consiste en un oscilador astable formado por las dos puertas inversoras ICA-ICB en el esquema y cuya frecuencia de oscilación viene determinada por los valores de R1 y C1, en este caso una frecuencia cercana a 120 Hz para evitar en lo posible el molesto destello.
Si se desea modificar la frecuencia, puede se hacer mediante el ajuste del potenciómetro R1, dispuesto para este fin. La frecuencia puede ser calculada por : f =1 /( 0,7 x R1 x C1), donde R1 viene en Ohms y C1 en Faradios.
Conviene que C1 sea menor de 10uF para evitar en lo posible las "elevadas corrientes de fugas" que se presentarían, comparables a la corriente inicial de carga de este condensador en muchos casos. El condensador, se comporta como un cortocircuito. Debido a que, el CI4049B dispone de 6 inversores, se han utilizado pares en paralelo como se puede ver, de esta forma se obtiene más intensidad y cargabilidad, asegurando la corriente necesaria para excitar lo LED's.
La oscilación obtenida, ataca la entrada de un par de inversores separadores para no cargar al oscilador y se dirige los terminales del transistor fet, aunque con un desfase de 90º, mediante otro par de inversores, asegurándonos un paso de corriente D-S (drenador-sumidero) en cada semiperíodo de la oscilación y S-D en el semiciclo siguiente, siempre que se mantenga activo el pulsador, esto excitará el LED correspondiente indicando así su polaridad (Canal N o Canal P) y si está en buen estado.
Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina
Fuente:http://www.fortunecity.es/felices/barcelona/146/3ds/tutores/mosfet_test.html
sábado, 24 de julio de 2010
Especial: Como hacer un aerogenerador (molino de viento o turbina eolica).
Siguiendo la línea de inventos de energías renovables, hoy os traigo otro especial, esta vez para hacer un aerogenerador. Como el anterior especial para hacer un panel solar, este también es del mismo autor, y nosotros nos hemos encargado de traducirlo.
Las características principales de esta turbina eólica pueden variar según el tipo de motor o generador que le instalemos, pero normalmente será de unos 12v de tensión eficiente. Disfrutad de este invento haciendolo tanto como yo traduciendolo para vosotros:
Después de muchas búsquedas de información por todo Internet, me dí cuenta que todos los diseños tenían cinco cosas en común:
Un generador.
Palas.
Sistema de orientación hacia el viento (Timón).
Una torre para elevar la turbina hacia dónde esté el viento.
Baterías y un sistema de control eléctrico.
Organizando un poco el tema, conseguí reducir el proyecto a tan sólo cinco sistemas, que atacando poco a poco y uno por uno, no resulta del todo complicado. Decidí comenzar con el generador. Observando los proyectos de otras personas por Internet, me dí cuenta que había gente que decidió hacerse su propio generador, otros que usaban la energía residente de motores de imán permanente, y otros, simplemente se buscaban un generador. Así que decidí ponerme a buscar.
Mucha gente usaban los motores de las unidades de cinta de ordenadores antiguos. Los mejores para esto, son los Ametek de 99 voltios en continua que funcionan muy bien como generadores. Por desgracia, son muy difíciles de encontrar, aunque siempre puedes probar con otros modelos parecidos de Ametek (En eBay, por ejemplo). Aquí hay un sitio (en inglés) que habla de los defectos y virtudes de los Ametek como generadores, muy completo la verdad.
Existen muchas otras marcas y modelos de motores de imán permanente que no sean los Ametek, pero puede que no trabajen igual de bien, ten en cuenta que los motores de imán permanente no fueron diseñados para ser generadores. Los motores normales, cuando se usan como generadores, tienen que ser impulsados mucho más rápido que su velocidad nominal de funcionamiento para alcanzar una producción parecida a la de su funcionamiento normal. Con estos datos, podemos sacar una conclusión, lo que estamos buscando, es un motor que de mucha tensión con pocas revoluciones. Alejarse de motores con muchas revoluciones y poca tensión, porque no servirá para nada. Lo que buscamos, más o menos, es un motor que nos de unos 12 v de tensión útil con unas revoluciones muy bajas (325 rpm). Cuando lo tengáis, para hacer la prueba, conectarlo a una bombilla de 12 v y darle un fuerte giro al motor con la mano, si de verdad nos funciona, la bombilla deberá encenderse como normalmente.
Las características principales de esta turbina eólica pueden variar según el tipo de motor o generador que le instalemos, pero normalmente será de unos 12v de tensión eficiente. Disfrutad de este invento haciendolo tanto como yo traduciendolo para vosotros:
Después de muchas búsquedas de información por todo Internet, me dí cuenta que todos los diseños tenían cinco cosas en común:
Un generador.
Palas.
Sistema de orientación hacia el viento (Timón).
Una torre para elevar la turbina hacia dónde esté el viento.
Baterías y un sistema de control eléctrico.
Organizando un poco el tema, conseguí reducir el proyecto a tan sólo cinco sistemas, que atacando poco a poco y uno por uno, no resulta del todo complicado. Decidí comenzar con el generador. Observando los proyectos de otras personas por Internet, me dí cuenta que había gente que decidió hacerse su propio generador, otros que usaban la energía residente de motores de imán permanente, y otros, simplemente se buscaban un generador. Así que decidí ponerme a buscar.
Mucha gente usaban los motores de las unidades de cinta de ordenadores antiguos. Los mejores para esto, son los Ametek de 99 voltios en continua que funcionan muy bien como generadores. Por desgracia, son muy difíciles de encontrar, aunque siempre puedes probar con otros modelos parecidos de Ametek (En eBay, por ejemplo). Aquí hay un sitio (en inglés) que habla de los defectos y virtudes de los Ametek como generadores, muy completo la verdad.
Existen muchas otras marcas y modelos de motores de imán permanente que no sean los Ametek, pero puede que no trabajen igual de bien, ten en cuenta que los motores de imán permanente no fueron diseñados para ser generadores. Los motores normales, cuando se usan como generadores, tienen que ser impulsados mucho más rápido que su velocidad nominal de funcionamiento para alcanzar una producción parecida a la de su funcionamiento normal. Con estos datos, podemos sacar una conclusión, lo que estamos buscando, es un motor que de mucha tensión con pocas revoluciones. Alejarse de motores con muchas revoluciones y poca tensión, porque no servirá para nada. Lo que buscamos, más o menos, es un motor que nos de unos 12 v de tensión útil con unas revoluciones muy bajas (325 rpm). Cuando lo tengáis, para hacer la prueba, conectarlo a una bombilla de 12 v y darle un fuerte giro al motor con la mano, si de verdad nos funciona, la bombilla deberá encenderse como normalmente.
Asignatura: EES.
Alumno: Pedro Jose Contreras Urbina
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